EDV

Dynamische Speicher

DRAM: Dynamic Random Access Memory, DynamischerSpeicher mit wahlfreiem Zugriff. Dieser Speichertyp wird im Allgemeinen als Hauptspeicher eingesetzt. Dynamische Speicher sind gekennzeichnet durch die Speicherung der information in einem Kondensator, der ähnlich wie ein Akku Energie aufnehmen und eine gewisse Zeit hatten kann. Soll z.B. eine logische Eins gespeichert werden, wird dieser Kondensator aufgeladen, bei einer logischen Null entladen. Diese Kondensatoren sind in einer Matrix aus Reihen und Spalten angeordnet. Um die Chips mechanisch klein zu halten und um Anschlüsse und damit Kosten zu sparen erfolgt die elektrische Ansteuerung dieser Bausteine in zwei Stufen: Die Adresse eines Datums wird entsprechend der Matrix aufgeteilt in eine Reihen- (Rowe Adresse und eine Spalten- (Column-) Adresse, die nacheinander über die gleichen Anschlüsse am Chip übermittelt werden. Der Vorteil dieser Technologie ist, dass sie relativ preiswert und mit grossen Dichten hergestellt werden kann. Der Nachteil ist, dass dieser Kondensator nicht ideal produziert werden kann - wiederum ähnlich einem Akku, der lange Zeit nicht benutzt wird, entlädt sich dieser Kondensator. Um zu verhindern, dass die Daten unbrauchbar werden, müssen sie in regelmässigen Abständen aufgefrischt werden (Refresh). Es gibt mehrere Weiterentwicklungen dieser grundlegenden Architektur, die kurz angesprochen werden sollen:

FPM: Fast Page Mode

Speicherbausteine mit Fast Page Mode sind eine Weiterentwicklung der Standard-DRAM Speicher, die durch eine besondere Ansteuermöglichkeit die technologiebedingten Verzögerungszotten hei bestimmten Anwendungen beschleunigen. Meistens werden innerhalb von Computerprogrammen zusammenhängende Speicherinhalte vom